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碳化硅肖特基二極管在PFC電路中的應用
目前，在實現“綠色能源”的新技術革命中，眾多高頻開關電源已經開始實現高功率因數校正技術（特別是在通信電源中），其中采用有源功率因數校正的居多。連續導電模式Boost變換器是電源系統中應用較廣的功率因數校正變換器。
2022-04-06
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碳化硅肖特基二極管的基本特征分析
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(49W/mK)使功率半導體器件效率更高，運行速度更快，能夠有效降低產品成本、體積及重量。
2022-04-05
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圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應用
現代尖端電力電子設備性能升級需要提升系統功率密度、使用更高的主開關頻率。而現有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無法完全滿足要求，需要高性能與性價比兼具的主開關器件。為此，基本半導體推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。
2022-04-01
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基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解
追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員。相較于前兩代二極管，基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上，實現了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向導通壓降。
2022-02-08
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改進JBS結構以降低泄漏電流和提高浪涌電流能力
肖特基二極管（SBD）具有反向恢復時間（trr）短、正向電壓（VF）低等優點，但也存在泄漏電流大等缺點。東芝的SiC SBD使用改進的結構克服了這個缺點。
2021-09-01
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齊納、PIN、肖特基和變容二極管的基礎知識及其應用
雖然傳統的硅二極管或鍺二極管在大多數電子應用中可以很好地作為整流器和開關元件使用，但它們不具備電子微調、電子衰減、低損耗整流、基準電壓生成等功能。最初，我們使用更原始、成本更高且體積更大的“蠻力”方法來完成這些任務。這些方法現在已經讓位于更精巧的特殊用途二極管，包括變容二極管、PIN 二極管、肖特基二極管和齊納二極管。
2021-08-16
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如何使用自供電運算放大器創建低泄漏整流器？
您可以將一個精心挑選的運算放大器、一個低閾值 P 溝道 MOSFET 和兩個反饋電阻結合起來，制成正向壓降比二極管小的整流器電路（圖 1）。整流后的輸出電壓為有源電路供電，因此不需要額外的電源。該電路的靜態電流低于大多數肖特基二極管的反向泄漏電流。
2021-07-12
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【應用筆記】肖特基二極管和特定應用的勢壘高度調整
本文將真正的肖特基二極管作為正向壓降的選擇。本文檔描述了低、中和高電壓電平應用，以及具有理想動態行為的二極管、快速反向恢復 PN 二極管、真正的肖特基二極管和特定應用的勢壘高度調整。
2021-06-11
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肖特基二極管與普通硅二極管以及快恢復二極管的區別
區別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢復速度低，只能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會因為無法快速恢復而發生反向漏電，最后導致管子嚴重發熱燒毀;肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復速度快，可以用在高頻場合，故開關電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關電源上的整流管溫度還是很高的。
2021-06-10
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肖特基二極管的定義和特點
SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
2021-06-09
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肖特基二極管的結構和檢測方法
新型高壓SBD的結構和材料與傳統SBD是有區別的。傳統SBD是通過金屬與半導體接觸而構成。金屬材料可選用鋁、金、鉬、鎳和鈦等，半導體通常為硅（Si）或砷化鎵（GaAs）。由于電子比空穴遷移率大，為獲得良好的頻率特性，故選用N型半導體材料作為基片。
2021-06-09
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肖特基二極管與普通二極管的區別
兩種二極管都是單向導電，可用于整流場合。區別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢復速度低，只能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會因為無法快速恢復而發生反向漏電，最后導致管子嚴重發熱燒毀;肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復速度快，可以用在高頻場合，故開關電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關電源上的整流管溫度還是很高的。
2021-04-07
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